製品カジ 旅 本人 確認
パワーモジュール
第7 世代「X シリーズ」は、本カジ 旅 本人 確認を構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みをさらに薄くし微細化することで、素子構造を最適化。
これにより、従来製品(当社第6 世代「Vシリーズ」)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減しました。搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。
本カジ 旅 本人 確認を構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みを薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従来製品(当社第6世代Vシリーズ)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減
インバータロスを10%、チップ温度を11℃低減 (第6世代Vシリーズ75A, fc=8kHz 比較)
新たに開発した絶縁基板を適用し、カジ 旅 本人 確認の放熱性を向上。電力損失低減と併せて発熱を抑制することで、従来製品に比べて約36%の小型化を達成。
高信頼性・高耐熱パッケージおよびチップの最適化により175℃連続動作を実現。
-
従来製品より更に35%の出力アップも可能
-
ΔTvj パワーサイクル耐量向上(従来比2倍)
PIM: Power Integrated Modules, 複数回路を一つのカジ 旅 本人 確認内に収めた製品
RC-IGBT: Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor(逆導通 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
EconoPIM™, PrimePACK™はInfineon Technologies社の登録商標です
-
高性能チップ適用
-
低損失のXシリーズ/VシリーズIGBT
-
低損失のSiC-SBD
-
-
従来のSi-IGBTカジ 旅 本人 確認製品とパッケージ互換
-
最新世代トレンチゲートMOSFET適用による大幅な低損失化を実現
-
従来のSi-IGBTカジ 旅 本人 確認と互換パッケージ適用
-
パッケージの低インダクタンス化