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製品カジ 旅 スマホ
パワーディスクリート

カジ 旅 スマホディスクリート
富士電機は、ディスクリートIGBT、SiC ショットキーバリアダイオード、自動車用パワーMOSFET などのパワーディスクリートカジ 旅 スマホを提供しております。
カジ 旅 スマホ一覧
ディスクリートIGBT
SiCショットキーバリアダイオード
特長
ディスクリートIGBT

ディスクリートIGBTは、UPS、パワコン、エアコン、溶接機などの用途で、力率改善回路やDC/ACコンバータ回路に適用します。富士電機の独自技術で逆耐圧を有するRB-IGBTをカジ 旅 スマホ化し、双方向スイッチや3レベルインバータ回路を構成できます。

SiCショットキーバリアダイオード

SiC-SBD 2Gシリーズ

  • 高速スイッチング特性

  • 低VF特性:VPを従来比(対1G) 約15%低減(650V品)

  • 低IR特性

  • 高順サージ耐量:IFSMを従来比(対1G) 約60%向上

SiC-SBD 1Gシリーズ

  • 高速スイッチング特性

  • 低VF特性

  • 低IR特性

  • 高順サージ耐量

自動車用パワーMOSFET

富士電機のパワーMOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵抗などの特長を有しています。

低耐圧MOSFET

低オン抵抗、高ゲート抵抗を特長とした

  • 自動車用Trench MOSFET

  • IPS

をラインアップしています。

デザインサポート
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SiCショットキーバリアダイオード
自動車用パワーMOSFET