製品カジ 旅 スマホ
パワーディスクリート
富士電機は、ディスクリートIGBT、SiC ショットキーバリアダイオード、自動車用パワーMOSFET などのパワーディスクリートカジ 旅 スマホを提供しております。
カジ 旅 スマホ一覧
ディスクリートIGBT
SiCショットキーバリアダイオード
自動車用パワーMOSFET
特長
ディスクリートIGBT
ディスクリートIGBTは、UPS、パワコン、エアコン、溶接機などの用途で、力率改善回路やDC/ACコンバータ回路に適用します。富士電機の独自技術で逆耐圧を有するRB-IGBTをカジ 旅 スマホ化し、双方向スイッチや3レベルインバータ回路を構成できます。
SiCショットキーバリアダイオード
SiC-SBD 2Gシリーズ
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高速スイッチング特性
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低VF特性:VPを従来比(対1G) 約15%低減(650V品)
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低IR特性
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高順サージ耐量:IFSMを従来比(対1G) 約60%向上
SiC-SBD 1Gシリーズ
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高速スイッチング特性
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低VF特性
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低IR特性
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高順サージ耐量
自動車用パワーMOSFET
富士電機のパワーMOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵抗などの特長を有しています。
低耐圧MOSFET
低オン抵抗、高ゲート抵抗を特長とした
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自動車用Trench MOSFET
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IPS
をラインアップしています。
デザインサポート
ディスクリートIGBT
アプリケーションマニュアル
シミュレーションソフトウェア
セレクションガイド
SiCショットキーバリアダイオード
アプリケーションマニュアル
セレクションガイド
自動車用パワーMOSFET