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カジ 旅 ペイアウト 率 富士時報
第60巻第10号（1987年10月）

カジ 旅 ペイアウト 率時報 表紙

カジ 旅 ペイアウト 率特集

カジ 旅 ペイアウト 率特集に寄せて

池田　吉堯

最近のスイッチングカジ 旅 ペイアウト 率の技術動向

内田　喜之

カジ 旅 ペイアウト 率分野における最近の技術動向と富士電機における最近の技術成果について述べた｡バイポーラトランジスタ(BJT)に加えて､パワーMOS　FET,MBT(MOS‐gate　Bipolar　Transistor)など電圧駆動形デバイスの系列化が進んでいる｡また､独自技術により従来のBJTの性能限界の壁を破り､新たにカジ 旅 ペイアウト 率モジュール"Zシリーズ″を商品化した｡最後に､今後の最大の開発課題である｢インテリジェントスイッチングデバイス｣について､簡単に論じた｡

リンギングチョークコンバータ用トランジスタ

寺嶋　二郎，宮坂　忠志

最近の省エネルギー､軽薄短小化の社会的要求から､直流安定化電源はスイッチング方式が主流になりつつある｡スイッチング電源の中でも小容量のものは､価格面からRCC方式が主流である｡今回､RCC方式用に次の特長を有するトランジスタを製品化した｡
(1)hFEが高い
(2)hFEランク分けの実施｡
(3)高速スイッチング特性｡
(4)RBSOAが広い｡

新形1,200Vカジ 旅 ペイアウト 率モジュール"Zシリーズ"

伊藤　伸一，小林　真一

バイポーラカジ 旅 ペイアウト 率モジュールは､VVVF,CVCFインバータ装置に広く用いられている｡最近､装置の高性能化や小形化のため､高hFE､高周波性能､広いRBSOA及び高短絡耐量を兼ね備えた素子の開発が要求されてきている｡本稿では､こうした要求に対応して開発した1,200Vカジ 旅 ペイアウト 率モジュール"Zシリーズ"の定格､特性と､これを実現するために開発した素子設計技術について､その概要を紹介した｡

カジ 旅 ペイアウト 率MOS　FET

古畑　昌一，藤澤　尚登，西村　武義

カジ 旅 ペイアウト 率MOS　FETの市場が急速に拡大してきた｡それに伴い､各分野において､最適なカジ 旅 ペイアウト 率MOS　FETのあり方が問われ始めている｡本稿ではカジ 旅 ペイアウト 率MOS　FETの技術動向､製品系列､及び製品設計上の技術開発について述べた｡

MOSゲートバイポーラトランジスタ(MBT)

橋本　　理，上野　勝典，西村　武義

カジ 旅 ペイアウト 率とパワーMOS　FETの両者の利点を生かした､高耐圧､大電流､及び高周波で使用できるMOSゲートバイポーラトランジスタ(富士電機呼称MBT)を開発した｡本稿では､MBTの構造､動作､設計､定格特性について概説した｡本稿で紹介したMBTの定格は､600V/25A､600V/50A,1,200V/25Aの3機種であり､電気的特性のパラメータ依存性は1,200V/25A　MBTを中心に述べた｡

カジ 旅 ペイアウト 率の並列接続技術

巣山　廣登，宝泉　　徹

大容量の静止電力変換装置にカジ 旅 ペイアウト 率が適用されるようになり､多数個のカジ 旅 ペイアウト 率を並列に接続して使用する機会が多くなってきている｡本稿では､並列接続時の各素子の電流分担を不均一にする種々の原因とその対策について述べ､更に､具体的な並列接続方法についてその概要を説明した｡

カジ 旅 ペイアウト 率モジュールのドライブ技術

小林　真一，宝泉　　徹

ンバータ装置に広く用いられるようになったカジ 旅 ペイアウト 率モジュールは､従来のサイリスタに比べ回路が簡素化され､かつ高速スイッチングが可能であるが､その特長を最大限に引き出すには､素子の特性を知り最適なドライブ方法を用いることが重要である｡本稿では､最新の素子データにより､まずこのドライブ条件と素子特性の関係を明らかにし､更に基本的なドライブ回路設計方法及び設計上の注意点について説明した｡

カジ 旅 ペイアウト 率の保護技術

一條　正美，重兼　寿夫

カジ 旅 ペイアウト 率を過電圧や過電流から確実に保護するためには､これに関係する素子特性や破壊耐量を熟知し､更に､実際の装置の中で､いかなるメカニズムで､また､いかなる責務が発生するかを考慮しなければならない｡本稿では､VVVFインバータを具体的事例として採り上げて､過電圧･過電流発生のメカニズムと､これに関係する素子特性､破壊耐量､更に基本的な保護の考え方を解説した｡

カジ 旅 ペイアウト 率デバイスのシュミレーション

橋本　　理，田上　三郎

カジ 旅 ペイアウト 率デバイスの動作原理の把握､最適設計､開発期間の短縮にデバイスシュミレーション技術は不可欠となりつつある｡MBTを例にとり､カジ 旅 ペイアウト 率デバイスのシュミレーションの手法を紹介した｡二次元解析では従来のStone法を拡張し､電子､正孔､ポテンシャルに関する一括同時解法をとった｡素子の内部状態､動作原理､電流-電圧特性などが求められる｡

富士カジ 旅 ペイアウト 率の信頼性

白井祺一郎，角　　幸雄

富士カジ 旅 ペイアウト 率の信頼性に関して､まず基本的な考え方を説明し､故障要因の概要と故障モードの代表例､故障解析の具体例を示した｡また､信頼性評価試験の項目と目的及び試験内容条件とカジ 旅 ペイアウト 率モジュールでの試験結果の一例を紹介した｡更に加速試験の具体例として､蒸気圧モデルからのプレッシャクッカ試験の耐湿加速性､及び断続負荷試験の接合部の熱疲労加速性について報告した｡

注

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