カジ 旅 入金 マスター カード
富士時報
第76巻第3号（2003年）
IC特集
鶴田 芳雄・黒田 栄寿
富士電機では高耐圧技術，CMOSアナログ技術，ディジタル技術をコア技術とし，電源IC，FPD用ドライバICなどを中心に製品展開を図っている。特に，電源ICにおける低消費電力化技術や，高耐圧製品に対しての高耐圧プロセス・デバイス技術など特徴ある技術を開発し，製品に適用している。また，独自のセンサ複合化技術を開発しており，カメラ用オートフォーカスICや自動車用圧力センサなどに応用されている。本稿では，これらの特徴を生かカジ 旅 入金 マスター カード新製品，新技術について概要を紹介する。
丸山 宏志・城山 博伸・園部 孝二
近年，地球温暖化が世界的な問題としてクローズアップされ，電気・電子製品全般での省エネルギー化が重要となっている。特に常時AC電源のコンセントに接続カジ 旅 入金 マスター カード状態で使用されるテレビ，ビデオテープレコーダ，OA機器，パソコンのACアダプタなどでは，実際に使用している時間より，待機状態となっている時間が圧倒的に長いため，この待機時電力の低減が望まれている。この要求に応えるため，待機時の電力を低減する機能を内蔵カジ 旅 入金 マスター カードカレントモード制御ICを開発カジ 旅 入金 マスター カードのでその概要を紹介する。
藤井 優孝
近年，電子機器の表示機器の主流はCRTモニタから軽薄短小および低消費電力化が可能な液晶モニタへと移行してきている。一方，液晶モニタ用の電源においてもコストダウン要求が厳しく，外付け部品の削減が可能な電源ICが求められている。従来，大型の液晶モニタ用電源では外付けパワーMOSFET駆動用にバッファを必要としていたが，富士電機ではバッファを不要とし直接パワーMOSFETを駆動可能な液晶モニタ用3チャネルの電源制御ICを開発・製品化カジ 旅 入金 マスター カード。本稿ではこの制御ICの特徴および応用回路例を紹介する。
野村 一郎・中橋 保徳
ディジタルスチルカメラなどの携帯機器では，小型化や連続動作長時間化に対応し，待機時および定常動作時の低消費電力化，バッテリー搭載数低減のための低電圧動作の重要性が高まっている。カジ 旅 入金 マスター カードではこれらの要求に応え，電源入力1.8から10V動作，低消費電力化に向けたパワーMOSFET直結駆動と待機時消費電流7
A（typ.），厚さ0.95mm以下のSON16パッケージへの搭載を達成カジ 旅 入金 マスター カード２チャネル出力DC-DCコンバータ制御IC「FA7715J」を製品化し，携帯機器の連続動作長時間化や小型化に貢献カジ 旅 入金 マスター カード。
山田谷政幸
ディジタルスチルカメラを中心とカジ 旅 入金 マスター カード携帯型電子機器は近年急速に高性能・多機能化が進んでいるが，同時に小型・薄型化も顕著である。これらを構成する部品は多岐にわたり，必要な電圧の種類が多いのが実情である。カジ 旅 入金 マスター カードがって電源基板の面積の占める割合は比較的大きく，この削減要求が高まっている。富士電機ではこの要求に応え，外付け部品を大幅に削減し，5チャネル出力で36ピン小型パッケージを採用カジ 旅 入金 マスター カードFA7716Rを開発カジ 旅 入金 マスター カード。
荒井 裕久
近年，普及が急速に進んでいるPDAやディジタルスチルカメラ，携帯電話などの携帯電子機器の半導体部品には，小型化・軽量化・低消費電力化の要求が高い。そのシステムの中で安定化カジ 旅 入金 マスター カード電源を供給すべく，低消費電流型シリーズレギュレータが必要となる。富士電機では，低消費電力化（消費電力の削減），小型化（SOT23-5パッケージ）に対応カジ 旅 入金 マスター カード携帯機器用電源ICとしてシリーズレギュレータICを開発，製品化カジ 旅 入金 マスター カードので概要を紹介する。
林 善智・片山 靖・江戸 雅晴
携帯用電子機器において急速に進む小型・薄型・軽量化のニーズに応える超小型で高効率のスイッチング方式DC-DCコンバータモジュールを開発カジ 旅 入金 マスター カード。従来，外付け部品の中で大きな体積を占めていたインダクタを薄膜技術によりフェライトウェーハに形成し，これにモジュール支持基板としての機能を持たせる構造を採用してICチップを搭載することにより，斬新（ざんしん）な小型化・薄型化を実現カジ 旅 入金 マスター カード。本稿では，その特徴と開発概要を説明する。
澄田 仁志・平林 温夫・小林 英登
本稿では富士電機が開発カジ 旅 入金 マスター カードプラズマディスプレイパネル（PDP）スキャンドライバIC技術に関して，素子間分離技術と，SOI（Silicon On Insulator）基板上に形成カジ 旅 入金 マスター カード高耐圧横型デバイスについて説明する。素子間分離としてSOI方式誘電体分離技術が適していることを示し，また高耐圧横型デバイスとして電流駆動能力などの性能向上を実現カジ 旅 入金 マスター カード第二世代SOI-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）について概説する。あわせて，2002年に製品化カジ 旅 入金 マスター カード最新のPDPスキャンドライバICを紹介する。
多田 元・川村 一裕・斉藤 俊
PDP（Plasma Display Panel）は大画面でありながら薄型を特徴とし，家庭用テレビ分野で急速に市場が拡大してきている。今後さらに普及するためにはPDPの低価格化が鍵となるが，そのためにはドライバICのさらなる低価格化が要求されている。その要求に応えるため，富士電機では従来のアドレスドライバICに対してチップコストを2/3に低減カジ 旅 入金 マスター カードプロセス・デバイス技術を開発し，第三世代アドレスドライバICとして製品適用カジ 旅 入金 マスター カード。本稿では，プロセス・デバイス技術の概要と，本技術を適用カジ 旅 入金 マスター カード第三世代アドレスドライバICの製品概要について述べる。
松並 和宏
高倍ズームコンパクトカメラでは小型化が進められており，高精度かつ小型なオートフォーカス（AF）システムが求められている。カジ 旅 入金 マスター カードは新構造ICパッケージを採用し，センサピッチを7ｍまで小さくして測距分解能を向上させた小型・高性能のAFモジュールを，3倍ズーム以上の銀塩カメラおよびディジタルスチルカメラ向けに開発カジ 旅 入金 マスター カード。その構成，特徴について紹介する。
北村 明夫
パワーIC分野に適用される，高耐圧・アナログC/DMOSデバイスと0.6m CMOSデバイスとの混載化技術について説明する。従来のパワーIC技術に加え，これらを高機能にディジタル制御カジ 旅 入金 マスター カードいという要求も高まっており，本稿ではこれら要求に応え開発カジ 旅 入金 マスター カードデバイス・プロセス技術の概要について紹介する。
尾上 久・藤澤 旭・菅原 敬人
ICの高集積化・高機能化が進んでおり，製品サイクルも短くなっている。カジ 旅 入金 マスター カードではそれらに対応するため，設計資産の再利用や自動化システムの構築を行っている。本稿では，(1)アナログマクロセルライブラリ，(2)アナログ記述言語を使ったフルチップシミュレーション，モンテカルロシミュレーションなどのアナログ回路設計検証技術，(3)シンボリックレイアウト，アナログ自動配線などの自動マスクレイアウト設計技術を紹介する。
野中 智己・赤羽 正志・岩本 基光
近年，どこでもインターネットや電子メールのアクセスができるノートパソコンの需要が伸びている。しかしノートパソコンはバッテリーで2から3時間しか使用できないため正確なバッテリー残量の表示が強く求められている。富士電機ではバッテリーの特性を利用カジ 旅 入金 マスター カード残量補正技術を開発し，マイコンのプログラムとして組み込むことにより高精度な残量計測精度を実現カジ 旅 入金 マスター カードバッテリー残量計測ICを開発カジ 旅 入金 マスター カード。本稿ではそのICの概要を紹介する。
三添 公義
近年，急速に普及している携帯電話やディジタルスチルカメラなど携帯機器の商品サイクル短期化に伴い，それら携帯機器に搭載される電源ICの開発期間を短縮化する必要がある。今回，DC-DCコンバータ電源制御ICの開発に，メタル配線のみで機能を変更できるマスタスライスの手法を取り入れることによって，5週間という短い開発期間を実現カジ 旅 入金 マスター カード。最大4チャネルまでの昇圧電源や降圧電源などを構成できる電源制御ICの機能と構成，CAD利用による開発手法について解説する。
澤田 睦美・岩谷 将伸・藤島 直人
携帯電子機器に搭載するパワーICの出力段用として，トレンチ内部に素子を形成カジ 旅 入金 マスター カード低オン抵抗横型パワーMOSFETを，富士電機既存の0.6mルールBi-C/DMOSプロセスに一体化カジ 旅 入金 マスター カード。集積されるトレンチ横型パワーMOSFET（TLPM）は，35V耐圧で面積抵抗率16m
mm2であり，従来の同等耐圧のプレーナ横型パワーMOSFETに対し，50％の低オン抵抗化を実現カジ 旅 入金 マスター カード。本稿では，このプロセス・デバイス技術について概要を説明する。
大井 明彦
半導体デバイスの微視的解析技術の最近の進展として，OBIC/FIBによるゲート不良解析技術とSCMによる二次元キャリヤのマッピング技術の方法と測定原理を概説する。マクロサイズのトレンチ型MOSデバイスのゲート不良の原因を明らかにするために，OBIC法で1m精度での不良箇所の位置特定を行い，FIBで微視解析カジ 旅 入金 マスター カード結果を述べる。また，トレンチ横型パワーMOSFETの断面をSCMで観察し，デバイスの拡散構造を調べた。その結果，チャネル長が0.9mであることが見いだされた。
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注
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