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スーパージャンクションMOSFET「Super J MOS® カジ 旅 出 金 条件/カジ 旅 出 金 条件FDシリーズ」の発売について
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富士電機株式会社
富士電機株式会社（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、パワー半導体の新製品として、スーパージャンクション(注)MOSFET「Super J MOS® カジ 旅 出 金 条件/カジ 旅 出 金 条件FDシリーズ」を発売しましたので、 お知らせいたします。
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(注)
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MOSFET（電界効果トランジスタ）の構造の一つ。従来のプレーナ構造に対して単位面積あたりの抵抗値を低減可能
1．背景
パワー半導体は、UPSやパワーコンディショナなどの産業機器や通信機器、家電製品などあらゆる電気製品に組み込まれ、省エネや電力の安定供給を実現するキーデバイスです。
近年、世界的なエネルギー需要の拡大を背景に省エネへの要求が高まっており、搭載機器の消費電力削減に貢献するスーパージャンクションMOSFETの市場規模は、2016年に約1200億円、以降年率14％で成長することが予測されています（出典：IMS）。
今般、従来製品に比べて電力抵抗を低減し、さらなる省エネに貢献する新製品「Super J MOS® カジ 旅 出 金 条件/カジ 旅 出 金 条件FDシリーズ」を発売しました。
2．製品の特長
（1）通電時の抵抗を低減し搭載機器の省エネに貢献
カジ 旅 出 金 条件シリーズは従来製品（S1シリーズ）に対して、同一チップ面積での比較で、通電時の抵抗を約25%低減しています。これにより、搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。
（2）内蔵ダイオードを高速化しスイッチング損失を低減
カジ 旅 出 金 条件FDシリーズは、内蔵ダイオードのスイッチングオフ時にかかる時間（リカバリータイム）をカジ 旅 出 金 条件シリーズに対し約50％短縮します。内蔵ダイオードが使われるインバータ回路などに本製品を適用することで、スイッチング動作時の損失を低減するとともに、スイッチング時に瞬間的に生じる大電圧（サージ電圧）も抑制。搭載機器の省エネと信頼性向上に貢献します。
3．製品仕様
4．適用先
UPS、パワーコンディショナ、EV用急速充電器、サーバや通信基地局、LED照明など
5．発売時期
即日
6．製品に関するお問い合わせ先
富士電機株式会社 営業本部 半導体統括部 営業第三部
03-5435-7156
【参考】ラインアップと主な仕様
Super J MOS ® カジ 旅 出 金 条件シリーズ
Super J MOS ® カジ 旅 出 金 条件FDシリーズ
Super J MOS®は、富士電機の登録商標です。
【製品ホームページ】
以上